Tesla yapay zekâ çip yol haritasını açıkladı, 'SI' adlandırmasına geçti

Tesla, yapay zekâ hızlandırıcılarına dair güncellenmiş yol haritasını paylaştı. Şirketin çip geliştirme çalışmalarının geleceğine ışık tutan sunuma göre, 6. nesil çıkarım hızlandırıcısının mevcut 4. nesil çipe kıyasla 80 kat daha fazla işlem gücü getirmesi bekleniyor. Eğitim tarafındaki D3 hızlandırıcısı ise SRAM merkezli mimariyi bırakıp yığılmış HBM bellekli çoklu çiplet tasarımına geçecek.

Sunumdaki dikkat çekici ayrıntılardan biri de adlandırma. Tesla, hızlandırıcılarını artık yapay zekâ anlamına gelen AI yerine 'süper zekâ' kavramından türetilen SI ön ekiyle anıyor. Daha önce AI4, AI5 ve AI6 olarak anılan çipler bu yol haritasında SI4, SI5 ve SI6 olarak yer alıyor. Elon Musk'ın da SpaceXAI adının aynı gerekçeyle SpaceXSI olarak değiştirileceğini yakın zamanda doğruladığı aktarılıyor. Yol haritasına ilişkin ayrıntılar, Tesla'ya ait olduğu öne sürülen bir slayttan geliyor; bu nedenle bazı bilgiler tahmin niteliğinde.

Dojo D3 farklı bir mimariyle geri dönüyor

Yol haritasının en ilgi çekici bölümü, Dojo eğitim hızlandırıcısının yeniden gündeme gelmesi. Musk, Ağustos 2025'te gofret ölçeğindeki Dojo projesini iptal etmiş, ardından Ağustos 2026'da SpaceX ve xAI'ın hem yer üstü hem de uzaydaki veri merkezlerinde yalnızca Nvidia donanımı kullanacağını söylemişti. Buna rağmen üçüncü nesil Dojo, ilk iki nesilden belirgin biçimde ayrışan bir yapıyla geri dönüyor.

Tesla, D3'ü 2.5D ve 3D paketleme teknolojilerini yığılmış HBM ile birleştiren çiplet tabanlı bir tasarım olarak tanımlıyor. Orijinal Dojo D1 ise gofret ölçeğinde paketleme ile 25 D1 işlemcisini birbirine bağlayan, dağıtık çip üstü SRAM'e dayalı bir sistemdi; gofret başına yaklaşık 11 GB SRAM sunuyordu. HBM'e geçiş, modern yapay zekâ modellerinin parametreler, aktivasyonlar ve ara veriler için çok büyük bellek ihtiyacı duyması nedeniyle bellek kapasitesinin ciddi biçimde artırılmak istendiğine işaret ediyor. HBM bellek ölçeklemeyi kolaylaştırırken gecikme, bant genişliği, paketleme ve güç tüketimi açısından farklı ödünleşimler getiriyor.

Gofret ölçekli entegrasyonun tamamen terk edilip edilmediği belirsiz. Mantık çiplerinin üzerine HBM yığmak tasarım karmaşıklığını, soğutma zorluklarını, üretim zorluğunu ve maliyeti artırıyor; bu da D3'te gofret ölçeklemenin daha az olası olduğunu düşündürüyor. Tesla D3'ün performansını, bellek kapasitesini, üretim sürecini ve takvimini henüz açıklamadı. Şirket yalnızca bu hızlandırıcının 'uzay, eğitim ve ölçekleme' için optimize edileceğini belirtiyor; bu da klasik bir hızlandırıcı mimarisine ve muhtemelen en azından bazı ürün versiyonları için radyasyona dayanıklı tasarıma işaret ediyor olabilir.

SI6 için 80 kat performans hedefi

Yol haritasında 6. nesil çıkarım işlemcisi SI6'nın yaklaşık işlem gücü de paylaşıldı. Tesla, SI6'nın HW4 ile karşılaştırıldığında 80 kat işlem gücü ve 9 kat daha fazla bellek sunacağını belirtiyor. HW4'ün performansının nasıl ölçüldüğüne bağlı olarak bu, yaklaşık 17.280 ile 46.080 TOPS, yani 17,28 ile 46,08 POPS aralığına karşılık geliyor. SI6'nın desteklediği veri formatları ise bilinmiyor ve rakamlar tahmin niteliğinde.

Karşılaştırma için, Nvidia'nın Rubin GPU'su çıkarımda 50 NVFP4 PFLOPS, eğitimde 35 NVFP4 PFLOPS ve 17,5 FP8/FP6 PFLOPS sunuyor. Rubin bugün müşterilere ulaşırken, SI6'nın 2029-2030 döneminde gelmesi bekleniyor.

Mevcut çipler ve geçiş tablosu

Bugün Tesla araçlarında kullanılan 4. nesil çıkarım işlemcisi (önce HW4, sonra AI4, şimdi SI4) Samsung Foundry tarafından üretiliyor ve geleneksel FCBGA paketleme kullanıyor. Slayttaki bir hata nedeniyle çipin 5 nm sınıfı bir süreçte üretildiği iddia ediliyor; tabloda ise Samsung 7 nm olarak gösteriliyor. Belleğin 16 GB GDDR6 olduğu tahmin ediliyor. Tesla, bu işlemciyi Full Self-Driving teknolojisinin güncel referans noktası olarak tanımlıyor.

Tablodaki diğer ayrıntılara göre eski HW3 çipi Samsung 14 nm sürecinde ve 8 GB LPDDR4 belleğe sahip; eski nesil olarak işaretlenmiş. SI5'in TSMC 3 nm veya Samsung 2 nm sürecinde, çoklu çip modülü (MCM) mimarisiyle ve üretime yaklaşan bir aşamada olduğu belirtiliyor. SI6 ise 2 nm sınıfı bir süreçte, MCM mimarisiyle ve geliştirme aşamasında gösteriliyor. SI5 için GDDR6/GDDR7, SI6 için GDDR7 bellek ise soru işaretiyle belirtilmiş; yani bu bilgiler kesin değil.